Polysilicon wafer

Technical specifications

Multi crystalline wafer

156 mm x 156 mm
General Characteristics Features
 Product
 Multi crystalline silicon wafer
 Growth Method
 Directional solidification
 Conductivity Type
 P type
 Dopant
 Boron
 Resistivity
 1-3 Ω.cm
 Oxygen Content
 ≤ 8 × 10 17 atoms/cm 3
 Carbon Content
 ≤ 4 × 10 17 atoms/cm 3
 Side
 156.0  ± 0.5 mm
 Corner diagonal
 1.5  ± 0.5 mm
 Corner Angle
 45° ± 10°
 Thickness
 180 ± 20 μm; 200 ± 20 μm
 TTV
 ≤ 40 μm
 Bow
 ≤ 70 μm
 Surface
 No visible defects
 Saw Mark
 ≤ 15 μm

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

*

Можно использовать следующие HTML-теги и атрибуты: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>